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比較NAND和NOR Flash 不同

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shie 發表於 2010-9-15 10:24:27 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
比較NAND和NOR Flash 不同
1022A991030114 該用戶已被刪除
1022A991030114 發表於 2010-9-17 23:08:27 | 顯示全部樓層
主要的不同應該是 如下
       ● NOR的讀速度比NAND稍快一些。
  ● NAND的寫入速度比NOR快很多。
  ● NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。
  ● 大多數寫入操作需要先進行擦除操作。
  ● NAND的擦除單元更小,相應的擦除電路更少。

其主要詳細內容請參考如下
轉自於 http://tw.myblog.yahoo.com/blue- ... &l=f&fid=20
1022A991030140 該用戶已被刪除
1022A991030140 發表於 2010-9-18 09:00:35 | 顯示全部樓層
本帖最後由 1022A991030140 於 2010-9-18 09:03 編輯

1.NOR的特點是晶片內執行(XIP, eXecute In Place),這樣應用程式可以直接在flash
   快閃記憶體內運行。
2.NAND結構能提供極高的單元密度,可以達到高存儲密度,並且寫入和擦除的速度快。
3.NOR Flash的讀速度比NAND稍快一些。
4.NAND Flash的擦除單元更小,相應的擦除電路更少。
5.NOR flash帶有SRAM介面,有足夠的位址引腳來定址,可以很容易地存取其內部的每
   一個位元組。
6.NOR FLASH的主要供應商是INTEL ,MICRO等,它的優點是可以直接從FLASH中運行
   程式,但是工藝複雜,價格比較貴。
7.NAND FLASH的主要供應商是SAMSUNG和東芝,由於工藝上的不同,它比NOR FLASH
   擁有更大存儲容量,而且便宜。缺點是無法定址直接運行程式,只能存儲資料。
8.NAND Flash的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。
9.NAND器件使用複雜的I/O口來串列地存取資料,各個產品或廠商的方法可能各不相同
   。8個引腳用來傳送控制、位址和資料資訊。
10.NAND讀和寫操作採用512位元組的塊,這一點有點像硬碟管理此類操作。
11.NAND Flash的寫入速度比NOR快很多。

轉自:http://www.icpark.com/Group2/topic/1879
1022A991030105 該用戶已被刪除
1022A991030105 發表於 2010-9-18 21:17:16 | 顯示全部樓層
NOR的特點是芯片內執行(XIP, eXecute In Place),這樣應用程序可以直接在flash閃存內運行,不必再把代碼讀到系統RAM中。

   NOR的傳輸效率很高,在1~4MB的小容量時具有很高的成本效益,但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。

 NAND結構能提供極高的單元密度,可以達到高存儲密度,並且寫入和擦除的速度也很快。應用NAND的困難在於flash的管理和需要特殊的系統接口。



1.性能比較:

   flash閃存是非易失存儲器,可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行,所以大多數 情況下,在進行寫入操作之前必須先執行擦除。NAND器件執行擦除操作是十分簡單的,而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0。
      
      由於擦除NOR器件時是以64~128KB的塊進行的,執行一個寫入/擦除操作的時間為5s,與此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的塊進行的,執行相同的操作最多只需要4ms。
      
      執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距,統計表明,對於給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時更多的擦除操作必須在基於NOR的單元中進行。這樣,當選擇存儲解決方案時,設計師必須權衡以下的各項因素。

  ● NOR的讀速度比NAND稍快一些。

  ● NAND的寫入速度比NOR快很多。

  ● NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。

  ● 大多數寫入操作需要先進行擦除操作。

  ● NAND的擦除單元更小,相應的擦除電路更少。



2.接口差別:

  NOR flash帶有SRAM接口,有足夠的地址引腳來尋址,可以很容易地存取其內部的每一個字節。

  NAND器件使用複雜的I/O口來串行地存取數據,各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數據信息。

  NAND讀和寫操作採用512字節的塊,這一點有點像硬盤管理此類操作,很自然地,基於NAND的存儲器就可以取代硬盤或其他塊設備。



3.容量和成本:

  NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半,由於生產過程更為簡單,NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量,也就相應地降低了價格。

   NOR flash佔據了容量為1~16MB閃存市場的大部分,而NAND flash只是用在8~128MB的產品當中,這也說明NOR主要應用在代碼存儲介質中,NAND適合於數據存儲,NAND在CompactFlash、 Secure Digital、PC Cards和MMC存儲卡市場上所佔份額最大。



4.可靠性和耐用性:

  採用flahs介質時一個需要重點考慮的問題是可靠性。對於需要擴展MTBF的系統來說,Flash是非常合適的存儲方案。可以從壽命(耐用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較NOR和NAND的可靠性。

5.壽命(耐用性):

  在NAND閃存中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次,而NOR的擦寫次數是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除週期優勢,典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍,每個NAND存儲器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。


轉自:http://kelvin820.pixnet.net/blog/post/12793476
1022A991030152 該用戶已被刪除
1022A991030152 發表於 2010-9-24 23:18:31 | 顯示全部樓層
Nor Flash 為Flash的一種技術規格,Nor Flash的每一個Cell均與一個Work Line及一個BIT Line的連結, Nor Flash隨機讀取較Nand Flash快。Nor Flash主要應用在程式碼的儲存,容量較小、寫入速度慢,但因隨機讀取速度快,不適合朝大容量發展,主要用在手機上,目前以16Mb、32Mb為主。

Nand Flash 是Flash的一種技術規格,Nand Flash型的Cell是彼此相連,僅第一個及最後一個Cell分別與Work Line、BIT Line相連,因此Nand Flash架構儲存容量較Nor Flash高。Nand Flash的容量較大,改寫速度快,主要應用在大量資料的儲存,目前容量以64Mb及128Mb為主,產品包括數位相機、MP3隨身聽的記憶卡等。

轉自:http://www.moneydj.com/z/glossary/glexp_5017.asp.htm
http://www.moneydj.com/z/glossary/glexp_5018.asp.htm
1022A991030101 該用戶已被刪除
1022A991030101 發表於 2010-9-28 18:08:25 | 顯示全部樓層
就Flash記憶體的結構,主要分成NOR NAND及EE-NOR三大主流架構,其技術特色有些不同。



  NOR形態:這是由英特爾所發展的架構,讀取速度較快,而且可在單位區塊上進行指令的讀取寫入,其特性為高壓電,較長的抹除時間以及較大量的抹除區塊。此類型產品大都應用在程式指令的儲存與讀取/寫入以及PC Card記憶卡。



  NAND:由東芝所發展的架構,讀寫資料速度較慢,但是具有較小記憶面積,在相同密度之下,成本較NOR型態低。適用於更高容量的產品開發及大量儲存裝置上,可用以替代磁碟機在可攜帶市場的地位,或做為消費性電子產品資料儲存用。



  EENRO型態:針對NOR型態加以改良,使其在相同記憶格面積下,能夠在更小的單位區塊上進行讀取寫入動作。不但可提升整體運作速度,更可滿足低電壓與低功率的運作要求。由於具有NOR型態的高速效能,而適用於個人電腦程式指令儲存,能縮短指令讀取寫入時間;此外它還有低電壓和低功率的特性,所以被應用於可攜帶及無線電通訊產品上。
參考資料

http://tw.knowledge.yahoo.com/question/?qid=1405111808651
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